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NAND01GW3B2AZA6E

NAND01GW3B2AZA6E

IC FLASH 1GBIT 50NS 63VFBGA
भाग संख्या
NAND01GW3B2AZA6E
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tray
तकनीकी
FLASH - NAND
परिचालन तापमान
-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
63-TFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
63-VFBGA (9x11)
वोल्टेज आपूर्ति
2.7 V ~ 3.6 V
मेमोरी प्रकार
Non-Volatile
मेमोरी का आकार
1Gb (128M x 8)
पहूंच समय
30ns
घड़ी की आवृत्ति
-
मेमोरी प्रारूप
Flash
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ
30ns
मेमोरी इंटरफ़ेस
Parallel
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संपर्क जानकारी
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