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UT6J3TCR
-20V PCH+PCH POWER MOSFET
भाग संख्या
UT6J3TCR
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Not For New Designs
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
6-PowerUDFN
शक्ति - अधिकतम
2W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
HUML2020L8
एफईटी प्रकार
2 P-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
3A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
85 mOhm @ 3A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
8.5nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
2000pF @ 10V
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