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SCH2080KEC

MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

भाग संख्या

SCH2080KEC

निर्माता/ब्रांड

Rohm Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

SiCFET (Silicon Carbide)

परिचालन तापमान

175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-247-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-247

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

262W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1200V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

117 mOhm @ 10A, 18V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 4.4mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

106nC @ 18V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1850pF @ 800V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

18V

वीजीएस (अधिकतम)

+22V, -6V

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