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RW1C020UNT2R

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

भाग संख्या

RW1C020UNT2R

निर्माता/ब्रांड

Rohm Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOT-563, SOT-666

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-WEMT

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

400mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

105 mOhm @ 2A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

2nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

180pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.5V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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