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RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
भाग संख्या
RW1C020UNT2R
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
6-WEMT
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
400mW (Ta)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
2A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
105 mOhm @ 2A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
2nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
180pF @ 10V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
1.5V, 4.5V
वीजीएस (अधिकतम)
±10V
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