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RUC002N05HZGT116

1.2V DRIVE NCH MOSFET

भाग संख्या

RUC002N05HZGT116

निर्माता/ब्रांड

Rohm Semiconductor

शृंखला

Automotive, AEC-Q101

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SST3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

350mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

50V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

200mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

25pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.2V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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