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EMD4T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

भाग संख्या

EMD4T2R

निर्माता/ब्रांड

Rohm Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOT-563, SOT-666

शक्ति - अधिकतम

150mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

EMT6

ट्रांजिस्टर प्रकार

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

100mA

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

50V

वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

500nA

डीसी करंट गेन (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई

68 @ 5mA, 5V

आवृत्ति - संक्रमण

250MHz

अवरोधक - आधार (R1)

47 kOhms, 10 kOhms

अवरोधक - उत्सर्जक आधार (R2)

47 kOhms

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