NVTFS5C658NLWFTAG
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
भाग संख्या
NVTFS5C658NLWFTAG
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-PowerWDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-WDFN (3.3x3.3)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
114W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
109A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
5 mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
12nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1935pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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