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NVTFS4823NTAG

MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN

भाग संख्या

NVTFS4823NTAG

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerWDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-WDFN (3.3x3.3)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

3.1W (Ta), 21W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

13A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

10.5 mOhm @ 15A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

6nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

750pF @ 12V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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