NVMFD5489NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
भाग संख्या
NVMFD5489NLT1G
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-PowerTDFN
शक्ति - अधिकतम
3W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
एफईटी प्रकार
2 N-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा
Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
4.5A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
65 mOhm @ 15A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
12.4nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
330pF @ 25V
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