NTGD3147FT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
भाग संख्या
NTGD3147FT1G
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-25°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
SOT-23-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
6-TSOP
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
1W (Ta)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
Schottky Diode (Isolated)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
2.2A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
5.5nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
400pF @ 10V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
2.5V, 4.5V
वीजीएस (अधिकतम)
±12V
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