खरीदें ON Semiconductor NE5517DR2G IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC

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NE5517DR2G

IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC

भाग संख्या

NE5517DR2G

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

वर्तमान पीढ़ी

2.6mA

परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

उत्पादन का प्रकार

Push-Pull

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

16-SOIC

सर्किट की संख्या

एम्पलीफायर प्रकार

Transconductance

वर्तमान - आउटपुट/चैनल

650µA

कई दर

50 V/µs

-3db बैंडविड्थ

वोल्टेज - आपूर्ति, सिंगल/डुअल (±)

4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें

2MHz

वर्तमान - इनपुट पूर्वाग्रह

400nA

वोल्टेज - इनपुट ऑफसेट

400µV

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