खरीदें ON Semiconductor 1N6000B DIODE ZENER 10V 500MW DO35

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1N6000B

DIODE ZENER 10V 500MW DO35

भाग संख्या

1N6000B

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

परिचालन तापमान

-65°C ~ 200°C

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

सहनशीलता

±5%

पैकेज/केस

DO-204AH, DO-35, Axial

शक्ति - अधिकतम

500mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DO-35

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.2V @ 200mA

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

100nA @ 8V

वोल्टेज - जेनर (नाम) (Vz)

10V

प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt)

15 Ohms

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