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1N4446TR

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

भाग संख्या

1N4446TR

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

DO-204AH, DO-35, Axial

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DO-35

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

200mA

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1V @ 20mA

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

25nA @ 20V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

100V

रफ़्तार

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

4ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

175°C (Max)

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

4pF @ 0V, 1MHz

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