खरीदें NXP USA Inc. PSMN004-55W,127 MOSFET N-CH 55V 100A SOT429

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PSMN004-55W,127

MOSFET N-CH 55V 100A SOT429

भाग संख्या

PSMN004-55W,127

निर्माता/ब्रांड

NXP USA Inc.

शृंखला

TrenchMOS™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-247-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-247-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

300W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

55V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

4.2 mOhm @ 25A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

226nC @ 5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

13000pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±15V

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