2N7000,126
MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
भाग संख्या
2N7000,126
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
TrenchMOS™
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Box (TB)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-92-3
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
830mW (Ta)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
300mA (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
5 Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
40pF @ 10V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±30V
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