BST82,215
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
भाग संख्या
BST82,215
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
TrenchMOS™
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-65°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-236AB (SOT23)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
830mW (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
190mA (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
10 Ohm @ 150mA, 5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
40pF @ 10V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
5V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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