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BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA DIE
भाग संख्या
BSS84
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tray
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
SOT-23-3
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
360mW (Ta)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
50V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
130mA (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
10 Ohm @ 100mA, 5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
1.3nC @ 5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
73pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
5V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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