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BSS806NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

भाग संख्या

BSS806NH6327XTSA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

OptiMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-SOT23-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

500mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.3A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

57 mOhm @ 2.3A, 2.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

750mV @ 11µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

1.7nC @ 2.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

529pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 2.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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