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UES1002

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

भाग संख्या

UES1002

निर्माता/ब्रांड

Microsemi Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

A, Axial

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

975mV @ 1A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

2µA @ 100V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

100V

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

25ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 175°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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