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JAN1N1190

DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

भाग संख्या

JAN1N1190

निर्माता/ब्रांड

Microsemi Corporation

शृंखला

Military, MIL-PRF-19500/297

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis, Stud Mount

पैकेज/केस

DO-203AB, DO-5, Stud

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DO-5

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

35A

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.4V @ 110A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 600V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

600V

रफ़्तार

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-65°C ~ 175°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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