खरीदें Microsemi Corporation 2003 TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT

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DataSheets

2003

TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT

भाग संख्या

2003

निर्माता/ब्रांड

Microsemi Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

परिचालन तापमान

200°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

55BT-1

शक्ति - अधिकतम

12W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

55BT-1

ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

500mA

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

50V

डीसी करंट गेन (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई

10 @ 100mA, 5V

आवृत्ति - संक्रमण

2GHz

शोर चित्र (डीबी प्रकार @ एफ)

पाना

8.5dB

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