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1N645-1

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

भाग संख्या

1N645-1

निर्माता/ब्रांड

Microsemi Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

DO-204AH, DO-35, Axial

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DO-35

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

400mA

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1V @ 400mA

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

50nA @ 225V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

225V

रफ़्तार

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-65°C ~ 175°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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