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TP2104N3-G-P003

MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3

भाग संख्या

TP2104N3-G-P003

निर्माता/ब्रांड

Microchip Technology

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-92-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

740mW (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

175mA (Tj)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

6 Ohm @ 500mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

60pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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