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SI2301-TP

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

भाग संख्या

SI2301-TP

निर्माता/ब्रांड

Micro Commercial Co

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-23

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.25W (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.8A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

120 mOhm @ 2.8A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

450mV @ 250µA (Min)

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

14.5nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

880pF @ 6V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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