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LT1910ES8#PBF

IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC

भाग संख्या

LT1910ES8#PBF

निर्माता/ब्रांड

Linear Technology/QD Devices

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

निवेष का प्रकार

Non-Inverting

परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-SOIC

वोल्टेज आपूर्ति

8 V ~ 48 V

चैनल प्रकार

Single

प्रेरित विन्यास

High-Side

ड्राइवरों की संख्या

गेट का प्रकार

N-Channel MOSFET

लॉजिक वोल्टेज - वीआईएल, वीआईएच

0.8V, 2V

वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)

हाई साइड वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)

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