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IXTP01N100D

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
भाग संख्या
IXTP01N100D
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-220AB
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
Depletion Mode
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
1000V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
100mA (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
110 Ohm @ 50mA, 0V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
120pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
-
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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