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IXFT100N30X3HV

300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

भाग संख्या

IXFT100N30X3HV

निर्माता/ब्रांड

IXYS

शृंखला

HiPerFET™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-268HV

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

480W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

300V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

13.5 mOhm @ 50A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4.5V @ 4mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

122nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7.66nF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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