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SPD11N10

MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK

भाग संख्या

SPD11N10

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

SIPMOS®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

P-TO252-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

50W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10.5A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

170 mOhm @ 7.8A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 21µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

18.3nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

400pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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