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IRF9310PBF

IRF9310PBF

MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
भाग संख्या
IRF9310PBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Not For New Designs
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-SO
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
2.5W (Ta)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
20A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
4.6 mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.4V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
165nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
5250pF @ 15V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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