छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.
IRF7701GTRPBF

IRF7701GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
भाग संख्या
IRF7701GTRPBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-TSSOP
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
1.5W (Ta)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
12V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
10A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
11 mOhm @ 10A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
100nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
5050pF @ 10V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
1.8V, 4.5V
वीजीएस (अधिकतम)
±8V
कोट अनुरोध करें
कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।
स्टॉक में 36113 PCS
संपर्क जानकारी
के कीवर्ड IRF7701GTRPBF
IRF7701GTRPBF इलेक्ट्रॉनिक घटक
IRF7701GTRPBF बिक्री
IRF7701GTRPBF आपूर्तिकर्ता
IRF7701GTRPBF वितरक
IRF7701GTRPBF डेटा तालिका
IRF7701GTRPBF तस्वीरें
IRF7701GTRPBF कीमत
IRF7701GTRPBF ऑफर
IRF7701GTRPBF सबसे कम कीमत
IRF7701GTRPBF खोजें
IRF7701GTRPBF खरीदारी
IRF7701GTRPBF चिप