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IRF7701GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

भाग संख्या

IRF7701GTRPBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-TSSOP

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.5W (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

12V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

11 mOhm @ 10A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

100nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5050pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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