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IRF7103Q

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

भाग संख्या

IRF7103Q

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

शक्ति - अधिकतम

2.4W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-SO

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

50V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

130 mOhm @ 3A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

255pF @ 25V

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