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IRF7526D1PBF

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

भाग संख्या

IRF7526D1PBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

FETKY™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Micro8™

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.25W (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

Schottky Diode (Isolated)

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

200 mOhm @ 1.2A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

11nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

180pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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