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IRF6775MTR1PBF

IRF6775MTR1PBF

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
भाग संख्या
IRF6775MTR1PBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
DirectFET™ Isometric MZ
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
DIRECTFET™ MZ
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
150V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
4.9A (Ta), 28A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
56 mOhm @ 5.6A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
5V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
36nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1411pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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