IRF60DM206
MOSFET N-CH 60V 130A
भाग संख्या
IRF60DM206
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
StrongIRFET™
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Digi-Reel®
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
DirectFET™ Isometric ME
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
DirectFET™ Isometric ME
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
96W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
130A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
2.9 mOhm @ 80A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
3.7V @ 150µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
200nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
6530pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
6V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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