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IRF6726MTR1PBF

IRF6726MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
भाग संख्या
IRF6726MTR1PBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
DirectFET™ Isometric MT
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
DIRECTFET™ MT
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
32A (Ta), 180A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
1.7 mOhm @ 32A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.35V @ 150µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
77nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
6140pF @ 15V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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