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IRF6712STR1PBF

IRF6712STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
भाग संख्या
IRF6712STR1PBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
DirectFET™ Isometric SQ
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
DIRECTFET™ SQ
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
25V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
17A (Ta), 68A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
4.9 mOhm @ 17A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.4V @ 50µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
18nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1570pF @ 13V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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