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IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

भाग संख्या

IRF6710S2TR1PBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

DirectFET™ Isometric S1

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DIRECTFET S1

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.8W (Ta), 15W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

25V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

12A (Ta), 37A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.9 mOhm @ 12A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.4V @ 25µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

13nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1190pF @ 13V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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