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IRF6710S2TR1PBF

IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
भाग संख्या
IRF6710S2TR1PBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Digi-Reel®
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
DirectFET™ Isometric S1
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
DIRECTFET S1
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
25V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
12A (Ta), 37A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
5.9 mOhm @ 12A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.4V @ 25µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
13nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1190pF @ 13V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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