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IRF6215LPBF

MOSFET P-CH 150V 13A TO-262

भाग संख्या

IRF6215LPBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-262

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

150V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

13A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

290 mOhm @ 6.6A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

66nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

860pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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