IPD30N03S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
भाग संख्या
IPD30N03S2L07ATMA1
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
OptiMOS™
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
PG-TO252-3
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
136W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
30A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
6.7 mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2V @ 85µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
68nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1900pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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स्टॉक में 35303 PCS
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