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IPC50N04S55R8ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON

भाग संख्या

IPC50N04S55R8ATMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

OptiMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerTDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TDSON-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

42W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

50A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.8 mOhm @ 25A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.4V @ 13µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

18nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1090pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

7V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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