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D3501N40TXPSA1

DIODE GEN PURP 4KV 4870A

भाग संख्या

D3501N40TXPSA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

DO-200AE

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

4870A

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.27V @ 4000A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

100mA @ 4000V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

4000V

रफ़्तार

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-40°C ~ 160°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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