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BSC900N20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON

भाग संख्या

BSC900N20NS3GATMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

OptiMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerTDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TDSON-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

62.5W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

200V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

15.2A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

90 mOhm @ 7.6A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 30µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

11.6nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

920pF @ 100V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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