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AUXAKF1405ZS-7P

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

भाग संख्या

AUXAKF1405ZS-7P

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D2PAK (7-Lead)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

230W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

55V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

120A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

4.9 mOhm @ 88A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 150µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

230nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5360pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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