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MBRH120200R

DIODE SCHOTTKY 200V 120A D-67

भाग संख्या

MBRH120200R

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

D-67

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D-67

डायोड प्रकार

Schottky

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

120A

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

920mV @ 120A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

1mA @ 200V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

200V

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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