खरीदें GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220 DIODE SILICON CARBIDE 8KV

चीन
पेशेवर इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्तिकर्ता

कैटलाग निर्माताओं सीएन आईसी

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GA01PNS80-220

DIODE SILICON CARBIDE 8KV

भाग संख्या

GA01PNS80-220

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

पैकेज/केस

Axial

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

वर्तमान - अधिकतम

डायोड प्रकार

PIN - Single

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

8000V

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

4pF @ 1000V, 1MHz

प्रतिरोध @ यदि, एफ

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

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