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ZXMC10A816N8TC

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

भाग संख्या

ZXMC10A816N8TC

निर्माता/ब्रांड

Diodes Incorporated

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

शक्ति - अधिकतम

1.8W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-SOP

एफईटी प्रकार

N and P-Channel

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

230 mOhm @ 1A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

9.2nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

497pF @ 50V

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