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DMG4406LSS-13

MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

भाग संख्या

DMG4406LSS-13

निर्माता/ब्रांड

Diodes Incorporated

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-SO

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.5W (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10.3A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

11 mOhm @ 12A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

26.7nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1281pF @ 15V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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