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CPMF-1200-S160B

MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE

भाग संख्या

CPMF-1200-S160B

निर्माता/ब्रांड

Cree/Wolfspeed

शृंखला

Z-FET™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

SiCFET (Silicon Carbide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

Die

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Die

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

202W (Tj)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1200V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

28A (Tj)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

220 mOhm @ 10A, 20V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

47.1nC @ 20V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

928pF @ 800V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

20V

वीजीएस (अधिकतम)

+25V, -5V

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