AOW418
MOSFET N-CH 100V 9.5A TO262
भाग संख्या
AOW418
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
SDMOS™
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-262
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
2.1W (Ta), 333W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
9.5A (Ta), 105A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
10 mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
3.9V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
83nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
5200pF @ 50V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
7V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±25V
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