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BYV32E-200PQ

DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

भाग संख्या

BYV32E-200PQ

निर्माता/ब्रांड

WeEn Semiconductors

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220AB

डायोड प्रकार

Standard

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

850mV @ 8A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 200V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

200V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

10A

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

25ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

175°C (Max)

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